دیتاشیت BSZ123N08NS3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BSZ123N08NS3 G
|
| حجم فایل |
47.48
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
11
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSZ123N08NS3 G
-
Power Dissipation (Pd):
2.1W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
80V
-
Continuous Drain Current (Id):
10A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@33uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
12.3mΩ@10V,20A
-
Package:
SON-8(3.3x3.3)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
